Samsung Electronics lanceert AI-geheugentechnologie van de volgende generatie

In dit artikel:

Samsung Electronics heeft dinsdag op de FMS-conferentie in Santa Clara, Californië, een prototype van zijn V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) gepresenteerd. De geheugenchip telt meer dan 400 lagen en gebruikt een nieuwe wafer-bondingarchitectuur, waarmee Samsung de opslagdichtheid tegenover zijn vorige V9-generatie met ongeveer 58% wil verhogen. Ook de lees-, schrijf- en input/output-prestaties zouden verbeteren.

De technologie is bedoeld voor de groeiende vraag naar krachtige en energiezuinige opslag in AI-systemen. Naast BV-NAND toonde Samsung concepten voor zHBM en zNAND-O, waarbij geheugencellen verticaal worden gestapeld. zHBM wordt bovenop AI-accelerators geplaatst, waardoor data een kortere afstand aflegt en de bandbreedte en energie-efficiëntie verbeteren. Volgens Samsung kan de wafer-bondingtechnologie meer dan tien keer de dichtheid van conventioneel HBM5 bieden, het energieverbruik met een factor drie verbeteren en de thermische weerstand met meer dan de helft verlagen.

Hoewel beleggers twijfelen aan de langetermijnvraag door mogelijke zwakte op de Chinese smartphonemarkt, blijft de AI-vraag sterk. Samsung verwacht dat langetermijncontracten uiteindelijk 60 tot 70% van zijn geheugenomzet kunnen vertegenwoordigen. Citi-analisten melden bovendien dat de voorraden in de DRAM- en NAND-keten historisch laag blijven.